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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SEMH10 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | NPN Silicon Digital Transistor Array Preliminary data |
| 中文描述： | NPN硅數(shù)字晶體管陣列的初步數(shù)據(jù) |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | SEMH10 |
SEMH10
Feb-09-2004
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CEsat
=
f
(
I
C
),
h
FE
= 20
0
0.1
0.2
0.3
V
0.5
V
CEsat
0
10
1
10
2
10
mA
I
C
DC Current Gain
h
FE
=
f (I
C
)
V
CE
= 5V (common emitter configuration)
10
-1
10
0
10
1
10
2
mA
I
C
0
10
1
10
2
10
3
10
-
h
F
Input on Voltage
V
i(on)
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 0.3V (common emitter configuration)
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
i(on)
-1
10
0
10
1
10
2
10
mA
C
Input off voltage
V
i(off)
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5V (common emitter configuration)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
1
V
i(off)
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
mA
I
C
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