參數(shù)資料
型號(hào)： SFH203P
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： 光敏二極管
英文描述： Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
中文描述： PIN PHOTO DIODE
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 152K
代理商： SFH203P
SFH 217
SFH 217 F
Halbwinkel
Half angle
±
75
±
75
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 20 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
I
R
1 (
≤
10)
1 (
≤
10)
nA
S
λ
0.62
0.59
A/W
η
0.89
0.86
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Kurzschlu
β
strom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
;
V
R
= 20 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
μ
A
Durchla
β
spannung,
I
F
= 80 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
L
V
L
350 (
≥
300)
–
–
300 (
≥
250)
mV
mV
I
K
I
K
t
r
,
t
f
9.3
–
–
3.0
μ
A
μ
A
ns
5
5
V
F
1.3
1.3
V
Kapazitt,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
11
11
pF
Temperaturkoeffizient von
V
L
Temperature coefficient of
V
L
Temperaturkoeffizient von
I
K,
Temperature coefficient of
I
K
Normlicht/standard light A,
λ
= 950 nm
Rauschquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Detection limit
TC
V
–2.6
–2.6
mV/K
TC
I
0.18
–
2.9 x 10
–14
–
0.2
2.9 x 10
–14
%/K
NEP
W
√
Hz
D*
3.5 x 10
12
3.5 x 10
12
cm ·
√
Hz
W
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 217
SFH 217 F
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PDF描述
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