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參數(shù)資料
| 型號： | SFH309-3 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 281K |
| 代理商： | SFH309-3 |
Semiconductor Group
3
SFH 309
SFH 309 FA
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Total power dissipation
P
tot
165
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 309
SFH 309 FA
Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
860
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Flche (
240
μ
m
)
Radiant sensitive area
λ
380 ... 1150
730 ... 1120
nm
A
0.2
0.2
mm
2
Abmessung der Chipflche
Dimensions of chip area
L
×
B
L
×
W
H
0.45
×
0.45
0.45
×
0.45
mm
×
mm
Abstand Chipoberflche zu Gehuseober-
flche
Distance chip front to case surface
2.4 ... 2.8
2.4 ... 2.8
mm
Halbwinkel
Half angle
Kapazitt,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
±
12
±
12
Grad
deg.
C
CE
5.0
5.0
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
1 (
≤
200)
1 (
≤
200)
nA
Grenzwerte
Maximum Ratings
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH309-4 | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
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| SFH309F | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| SFH309FA | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SFH309-5 | 制造商:Osram Opto semiconductors 功能描述:Phototransistor Chip Plastic Silicon 860nm 2-Pin T-1 Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:Phototransistor,3mm,SFH 309-5 |
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