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參數(shù)資料
| 型號： | SFH4200 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm),High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) |
| 中文描述： | 施內(nèi)勒砷化鎵紅外Lumineszenzdiode（950納米），高速砷化鎵紅外發(fā)射器（950納米） |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | SFH4200 |
SFH 4200, SFH 4205
2000-01-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
950
nm
λ
40
nm
±
60
Grad
deg.
mm
2
Aktive Chipflche
Active chip area
A
0.09
Abmessungen der aktiven Chipflche
Dimensions of the active chip area
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
0.3
×
0.3
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms,
R
L
= 50
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to10%,
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms,
R
L
= 50
Durchlaspannung,
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μ
s
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 3 V
Gesamtstrahlungsflu,
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ
,
I
F
= 100 mA
10
ns
V
F
V
F
I
R
1.5 (
≤
1.8)
3.2 (
≤
3.6)
0.01 (
≤
10)
V
V
μ
A
Φ
e
28
mW
TC
I
– 0.44
%/K
TC
V
– 1.5
mV/K
TC
λ
+ 0.2
nm/K
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