- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄26866 > SFH482-ME7800 4.7 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SFH482-ME7800 |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | 4.7 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 355K |
| 代理商： | SFH482-ME7800 |
2008-11-25
2
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstrkegruppierung
1) (I
F = 100 mA, tp = 20 ms)
Radiant intensity grouping
1)
Ie (mW/sr)
SFH 480
Q62703Q1087
> 40
SFH 480-2/3
Q62702P5195
> 40
SFH 481
2)
Q62703Q1088
> 10
SFH 481-1/2
2)
Q62703Q4752
10 ... 20
SFH 481-2/3
2)
Q62703Q4753
> 16
SFH 482
Q62703Q1089
> 3.15
SFH 482-1/2
Q62703Q4771
3.15 ... 10
SFH 482-2/3
Q62703Q4754
> 5
SFH 482-M E7800
3)
Q62703Q2186
1.6 ... 3.2
1)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
2)
Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs
3)
Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, da
β bei der
Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberflche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche über Zusatzoptiken strend (z.B. Lichtschranken
gro
βer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Me
βverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser
verwertbare Gr
βe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehngt ist.
3)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 2.0 mm; distance of aperture to case back side: 5.4 mm). This ensures that solely the radiation in
axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH4850E7800-Q | 4.2 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 850 nm |
| SFH4850E7800-P | 4.2 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 850 nm |
| SFH487501 | 809 nm, LASER DIODE |
| SFH501-1 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SFH5110-30 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SFH483 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter |
| SFH483E7800 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter |
| SFH483L/ME7800 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter, 880 nm, TO-18, 23deg,SFH483 |
| SFH483L/M-E7800 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q4755_IR Emitter |
| SFH483L/ME78000 | 制造商:OSRAM 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。