參數(shù)資料
型號(hào)： SG6509
廠商： Microsemi Corporation
英文描述： DIODE ARRAY CIRCUITS
中文描述： 二極管陣列電路
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： SG6509
DIODE ARRAY SERIES
6/90 Rev 1.1 2/94
Copyright
1994
L
IN
F
IN
ITY
Microelectronics Inc.
11861 Western Avenue
∞
∞
Garden Grove, CA 92841
(714) 898-8121
∞
FAX: (714) 893-2570
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
1.0
1.1
1.5
1.0
100
50
8
40
20
Min.
60
Typ. Max.
V
V
V
V
V
nA
μ
A
pf
ns
ns
7
Breakdown Voltage (V
BR
)
Forward Voltage (V
F
)
Reverse Current (I
R
)
Capacitance (C)
(Note 4)
Forward Recovery Time (t
fr
)
(Note 4)
Reverse Recovery Time (t
rr
)
(Note 4)
SG5770/SG6507
Test Conditions
Units
Parameter
1.0
1.1
1.5
1.0
100
50
8
40
20
V
V
V
V
V
nA
μ
A
pf
ns
ns
7
I
= 10
μ
A, 100ms pulse,
≤
20% Duty Cycle
Duty Cycle
≤
2%, 300μs pulse
I
F
= 100mA
I
F
= 200mA
I
F
= 500mA
I
F
= 10mA, T
A
= -55°C
V
R
= 40V
V
R
= 40V, T
= 150°C
V
R
= 0V, f = 1MHz, Pin-to-pin
I
F
= 500mA, t
r
≤
15ns, V
fr
= 1.8V, R
S
= 50
Breakdown Voltage (V
BR
)
Forward Voltage (V
F
)
Reverse Current (I
R
)
Capacitance (C)
(Note 4)
Forward Recovery Time (t
fr
)
(Note 4)
Reverse Recovery Time (t
rr
)
(Note 4)
60
Parameter
SG5772/SG6508
SG5774/SG6509
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
I
= 10
μ
A, 100ms pulse,
≤
20% Duty Cycle
Duty Cycle
≤
2%, 300 μs pulse
I
F
= 100mA
I
F
= 200mA
I
F
= 500mA
I
F
= 10mA, T
A
= -55°C
V
R
= 40V
V
R
= 40V, T
= 150°C
V
R
= 0V, f = 1MHz, Pin-to-pin
I
F
= 500mA, t
r
≤
15ns, V
fr
= 1.8V, R
S
= 50
I
F
= I
R
= 200mA, i
rr
= 20mA, R
L
= 100
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