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參數(shù)資料
| 型號： | SGH23N60UFD |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Ultra-Fast IGBT |
| 中文描述： | 23 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 627K |
| 代理商： | SGH23N60UFD |
2000 Fairchild Semiconductor International
SGH23N60UFD Rev. A
S
G
H23N60UFD
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.005
0.01
0.1
1
5
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
h
erm
a
lR
e
sp
on
se,
Zth
jc
[
℃
/W
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
300
Single Nonrepetitive
Pulse TC = 25℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
IC MAX. (Continuous)
IC MAX. (Pulsed)
C
o
llec
to
rC
u
rr
en
t,
I C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
200
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100℃
C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t,
I C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, V
CE [V]
4
8
12
16
20
24
10
100
1000
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
R
G = 23
T
C =
25℃
T
C = 125
℃
Swi
tch
in
g
Loss
[
u
J]
Collector Current, I
C [A]
0
102030
40
50
0
3
6
9
12
15
300 V
200 V
V
CC = 100 V
Common Emitter
R
L = 25
T
C = 25
℃
G
a
te
-
E
m
it
te
rV
o
lt
a
g
e
,
V
GE
[
V
]
Gate Charge, Q
g [ nC ]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
× Zthjc + T
C
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGH23N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGH23N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGH25N120 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH25N120RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH25N120RUFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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