參數(shù)資料
型號(hào)： SGW15N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
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代理商： SGW15N120
Preliminary
SGW15N120
SGP15N120, SGB15N120
Power Semiconductors
5
Mar-00
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
=17V
I
C
,
C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
=17V
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 5. Typical output characteristics
(
T
j
= 25
°
C)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 6. Typical output characteristics
(
T
j
= 150
°
C)
I
C
,
C
3V
5V
7V
9V
11V
0A
10A
20A
30A
40A
50A
T
J
=-40°C
T
J
=+150°C
T
J
=+25°C
V
C
,
C
-
E
-50°C
0°C
50°C
100°C
150°C
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
I
C
=30A
I
C
=15A
I
C
=7.5A
V
GE
,
GATE
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 7. Typical transfer characteristics
(
V
CE
= 20V)
T
j
,
JUNCTION TEMPERATURE
Figure 8. Typical collector-emitter
saturation voltage as a function of junction
temperature
(
V
GE
= 15V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGB15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGP15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGW15N60 Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT)
SGE2641-3 high voltage transformer for CCFL inverter power supply
SGR117A RAD HARD 1.5 AMP THREE TERMINAL ADJUSTABLE VOLTAGE REGULATOR
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參數(shù)描述
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SGW15N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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