參數(shù)資料
型號： SGW25N120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT)
中文描述： 快速的S -不擴散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴散技術(shù)中的快速第S - IGBT的）
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大小： 366K
代理商： SGW25N120
Preliminary
SGW25N120
Power Semiconductors
3
Mar-00
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=25
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Turn-on energy
Turn-off energy
Total switching energy
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
-
-
-
-
-
-
-
45
40
730
30
2.2
1.5
3.7
60
52
950
39
2.9
2.0
4.9
ns
T
j
=25
°
C,
V
CC
=800V,
I
C
=25A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=22
,
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
mJ
Switching Characteristic, Inductive Load,
at
T
j
=150
°
C
Value
typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
IGBT Characteristic
Turn-on delay time
t
d(on)
-
50
60
Rise time
t
r
-
36
43
Turn-off delay time
t
d(off)
-
820
990
Fall time
t
f
-
42
50
ns
Turn-on energy
E
on
-
3.8
4.6
Turn-off energy
E
off
-
2.9
3.8
Total switching energy
E
ts
T
j
=150
°
C
V
CC
=800V,
I
C
=25A,
V
GE
=15V/0V,
R
G
=22
Energy losses include
“tail” and diode
reverse recovery.
-
6.7
8.4
mJ
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PDF描述
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