| 型號(hào)： |
SI1025X-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
2/7頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
2 個(gè) P 溝道（雙）
|
| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
190mA
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
4 歐姆 @ 500mA，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
3V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
1.7nC @ 15V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
23pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
250mW
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
SOT-563，SOT-666
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SC-89-6
|
| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
SI1025X-T1-GE3DKR
|