參數(shù)資料
型號： SI1067X-T1-GE3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁數(shù)： 8/8頁
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描述： MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,000
FET 型： MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點： 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)： 20V
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 150 毫歐 @ 1.06A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）： 950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 9.3nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 375pF @ 10V
功率 - 最大： 236mW
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝： SC-89-6
包裝： 帶卷 (TR)