參數(shù)資料
型號(hào)： SI2302ADS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel MOSFET, 20V(D-S)
中文描述： N溝道MOSFET，20V（D-S）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： SI2302ADS
Si2302ADS
Vishay Siliconix
Document Number: 71831
S-41772—Rev. D, 20-Sep-04
www.vishay.com
1
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
(
)
I
D
(A)
20
0.060 @ V
GS
= 4.5 V
2.4
0.115 @ V
GS
= 2.5 V
2.0
G
S
D
Top View
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
Si2302DS (2A)*
*Marking Code
Ordering Information: Si2302ADS-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
_
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current (T
J
= 150
_
C)
a
T
A
= 25
_
C
I
D
2.4
2.1
T
A
= 70
_
C
1.9
1.7
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
10
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
0.94
0.6
Power Dissipation
a
T
A
= 25
_
C
P
D
0.9
0.7
W
T
A
= 70
_
C
0.57
0.46
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
--55 to 150
_
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
±
5 sec.
R
thJA
115
140
_
C/W
Steady State
140
175
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si2302ADS-T1 N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
Si2307BDS P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2307DS P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2312DS N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2312DS-T1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI2302ADS-T1 功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2302ADS-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.06Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2302ADS-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI2302ADS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.9W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI2302CDS 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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