| 型號： |
SI3911DV-T1-GE3 |
| 廠商： |
Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： |
8/9頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET P-CH DUAL 20V 6TSOP |
| 標準包裝： |
3,000 |
| 系列： |
TrenchFET® |
| FET 型： |
2 個 P 溝道（雙）
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.8A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
145 毫歐 @ 2.2A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
450mV @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
7.5nC @ 4.5V
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| 功率 - 最大： |
830mW
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
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| 供應商設備封裝： |
6-TSOP
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| 包裝： |
帶卷 (TR)
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