(VDD = 2.7 to 3.6 V, " />
參數(shù)資料
型號(hào)： SI4123-D-GM
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù)： 35/36頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SYNTHESIZER RF1/IF 28QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 60
類(lèi)型： 頻率合成器
PLL： 是
輸入： 時(shí)鐘
輸出： 時(shí)鐘
電路數(shù)： 1
比率 - 輸入:輸出： 1:2
差分 - 輸入:輸出： 無(wú)/無(wú)
頻率 - 最大： 1.8GHz
除法器/乘法器： 是/無(wú)
電源電壓： 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 28-VFQFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 28-QFN（5x5）
包裝： 管件
其它名稱(chēng)： 336-1174
Si4133
8
Rev. 1.61
Table 5. RF and IF Synthesizer Characteristics
(VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter1
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
XIN Input Frequency
f
REF
2—
26
MHz
Reference Amplifier Sensitivity
VREF
0.5
—
VDD
+0.3 V
VPP
Phase Detector Update Frequency
f
f= fREF/R
0.010
—
1.0
MHz
RF1 VCO Center Frequency Range
fCEN
947
—
1720
MHz
RF1 VCO Tuning Range2
Extended frequency
operation
1850
—
2050
MHz
RF2 VCO Center Frequency Range
fCEN
789
—
1429
MHz
RF Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
IF VCO Center Frequency Range
fCEN
526
—
952
MHz
IFOUT Tuning Range
with IFDIV
62.5
—
1000
MHz
IFOUT Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
RF1 VCO Pushing
Open loop
—
500
—
kHz/V
RF2 VCO Pushing
—
400
—
kHz/V
IF VCO Pushing
—
300
—
kHz/V
RF1 VCO Pulling
VSWR = 2:1, all
phases, open loop
—
400
—
kHzPP
RF2 VCO Pulling
—
300
—
kHzPP
IF VCO Pulling
—
100
—
kHzPP
RF1 Phase Noise
1 MHz offset
—
–132
—
dBc/Hz
RF1 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.9
—
degrees
rms
RF2 Phase Noise
1 MHz offset
—
–134
—
dBc/Hz
RF2 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.7
—
degrees
rms
IF Phase Noise
100 kHz offset
—
–117
—
dBc/Hz
IF Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
0.4
—
degrees
rms
Notes:
1. f = 200 kHz, RF1 = 1.6 GHz, RF2 = 1.2 GHz, IFOUT = 550 MHz, LPWR = 0, for all parameters unless otherwise noted.
2. Extended frequency operation only. VDD 3.0 V, QFN only, VCO Tuning Range fixed by directly shorting the RFLA and
RFLB pins. See Application Note 41 for more details on the Si4133 extended frequency operation.
3. From powerup request (PWDN
or SEN during a write of 1 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to RF and IF
synthesizers ready (settled to within 0.1 ppm frequency error).
4. From powerdown request (PWDN
, or SENduring a write of 0 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to supply current
equal to IPWDN.
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PDF描述
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SI4123-D-GTR 功能描述:時(shí)鐘發(fā)生器及支持產(chǎn)品 Single-Band RF Synthesizer RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類(lèi)型:Clock Generators 最大輸入頻率:14.318 MHz 最大輸出頻率:166 MHz 輸出端數(shù)量:16 占空比 - 最大:55 % 工作電源電壓:3.3 V 工作電源電流:1 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-56
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SI4123G 制造商:SILABS 制造商全稱(chēng):SILABS 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS
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