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    參數(shù)資料
    

    


    


    
型號：
SI4563DY-T1-GE3

    

    
廠商：
Vishay Siliconix

    

    
文件頁數(shù)：
15/15頁

    

    
文件大小：
0K

    

    
描述：
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC

    

    
標準包裝：
2,500

    

    
系列：
TrenchFET®

    

    
FET 型：
N 和 P 溝道
    		

    

    
FET 特點：
標準
    		

    

    
漏極至源極電壓(Vdss)：
40V
    		

    

    
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：
8A
    		

    

    
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
16 毫歐 @ 5A，10V
    		

    

    
Id 時的 Vgs(th)（最大）：
2V @ 250µA
    		

    

    
閘電荷(Qg) @ Vgs：
85nC @ 10V
    		

    

    
輸入電容 (Ciss) @ Vds：
2390pF @ 20V
    		

    

    
功率 - 最大：
3.25W
    		

    

    
安裝類型：
表面貼裝
    		

    

    
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
    		

    

    
供應商設備封裝：
8-SOICN
    		

    

    
包裝：
帶卷 (TR)