參數資料
型號： SI5935DC-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數： 3/5頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： SI5935DC-T1
Si5935DC
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72220
S-31260—Rev. A, 16-Jun-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
200
400
600
800
0
4
8
12
16
20
-
r
D
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0
3
6
9
12
15
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 3 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 3 A
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 1.8 V
20
I
D
= 0.6 A
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PDF描述
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