參數(shù)資料
型號： SI5945DU
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： SI5945DU
Vishay Siliconix
2
SPICE Device Model Si5945DU
www.vishay.com
Document Number: 74129
S-51988
Rev. A, 03-Oct-05
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
0.80
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≤
5V, V
GS
=
4.5V
60
A
V
GS
=
4.5V, I
D
=
3.3 A
0.063
0.060
V
GS
=
2.5V, I
D
=
2.8
Α
0.082
0.083
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
1.8V, I
D
=
0.76
Α
0.107
0.108
Ω
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
10V, I
D
=
3.3 A
11
9
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
=
1A, V
GS
= 0 V
0.78
0.80
V
Input Capacitance
C
iss
589
455
Output Capacitance
C
oss
103
105
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
V
DS
=
10 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
57
65
pF
V
DS
=
10 V, V
GS
=
8 V, I
D
=
4.6 A
8.4
9.1
Total Gate Charge
Q
g
5
5.5
Gate-Source Charge
Q
gs
0.75
0.75
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=
10 V, V
GS
=
4.5 V, I
D
=
4.6 A
1.5
1.5
nC
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5975DC Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5975DC-T1 Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5XX-EVB EVALUATION BOARD FOR Si53X XOS AND Si55X VCXOS
Si6423DQ P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6542DQ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI5947DU-T1-E3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5947DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 10.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI595SA500M000DGR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:
SI5975DC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5975DC-T1 功能描述:MOSFET 12V 4.1A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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