參數(shù)資料
型號(hào)： SI6946DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 50K
代理商： SI6946DQ
Si6946DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70177
S-49534—Rev. E, 06-Oct-97
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
20
0.080 @ V
GS
= 4.5 V
2.8
0.110 @ V
GS
= 2.5 V
2.1
D
G
S
N-Channel MOSFET
Si6946DQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
2.8
A
T
A
= 70 C
2.3
Pulsed Drain Current
I
DM
20
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.0
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.0
W
T
A
= 70 C
0.64
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
125
C/W
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6955ADQ Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6965DQ P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
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SI6966 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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SI6946DQ-T1-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 8-Pin TSSOP T/R
SI6953DQ 功能描述:MOSFET 20V/20V P-Channel Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6953DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 1.9A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6954ADQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
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