參數(shù)資料
型號： SI6973DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： SI6973DQ
Si6973DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71190
S-01058—Rev. A, 22-May-00
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.030 @ V
GS
= –4.5 V
–4.8
–20
0.039 @ V
GS
= –2.5 V
–4.2
0.055 @ V
GS
= –1.8 V
–3.5
Si6973DQ
D
1
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
2
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
1
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
–4.8
–4.1
A
T
A
= 70 C
–3.9
–3.2
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
–30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–1.0
–0.7
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.14
0.83
W
T
A
= 70 C
0.73
0.53
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
86
110
C/W
Steady State
124
150
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
52
65
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6975DQ Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6991DQ Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6991DQT-1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6991DQ-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI6993DQ-T1 Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI6973DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.8A 4.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6973DQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.8A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6975DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6975DQ-T1 功能描述:MOSFET 12V 5.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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