參數(shù)資料
型號(hào)： SI7116DN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET
中文描述： N通道40 - V（下局副局長(zhǎng)）快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： SI7116DN
Si7116DN
Vishay Siliconix
Document Number: 73139
S-51412—Rev. C, 01-Aug-05
www.vishay.com
3
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0
2
4
6
8
10
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
–
r
D
)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
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40
C
oss
C
iss
V
DS
= 20 V
I
D
= 16.4 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 16.4 A
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
T
J
= 25 C
60
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
I
S
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
T
J
= 150 C
I
D
= 16.4 A
C
rss
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
SI7116DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7116DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7117DNT1E3 制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free
SI7117DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 150V 2.17A 12.5W 1.2ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7117DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 2.17A 12.5W 1.2ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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