參數(shù)資料
型號(hào)： SI7413DN-T1-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： SI7413DN-T1-E3
Si7413DN
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72616
S-32519—Rev. A, 08-Dec-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
1
2
3
4
5
r
D
)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
4
8
12
16
20
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 13.2 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 13.2 A
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
(
r
D
)
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 13.2 A
30
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I
S
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
I
D
= 3.5 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7439DP P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
Si7439DP-T1-E3 P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
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SI7446DP SPICE Device Model Si7446DP
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參數(shù)描述
SI7413DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 13.2A 3.8W 15mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI7414DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 8A 0.025 OHMS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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