參數(shù)資料
型號(hào)： SI7439DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
中文描述： P通道150 -五（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： SI7439DP
Si7439DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 73106
S-41526—Rev. A, 16-Aug-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
2
4
6
8
10
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
0
15
30
45
60
75
90
0.4
0.7
1.0
1.3
1.6
1.9
2.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0
30
60
90
120
150
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 75 V
I
D
= 5.2 A
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 6 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
I
D
= 5.2 A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
V
GS
= 10 V
r
D
(
1.0
1.2
0.1
10
40
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si7439DP-T1-E3 P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7445DP P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI7446DP SPICE Device Model Si7446DP
SI7447DP P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7452DP N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7439DP_05 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7439DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 150V 5.2A 5.4W 90mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7439DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 5.2A 5.4W 90mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7440DP 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7440DP-T1 功能描述:MOSFET 30V 21A 5.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*