參數(shù)資料
型號： SI7844DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Ch MOSFET plus Schottky diode,
中文描述： 雙N溝道MOSFET帶肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 46K
代理商： SI7844DP
Si7844DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71328
S-02456—Rev. A, 06-Nov-00
www.vishay.com
1
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.022 @ V
GS
= 10 V
0.030 @ V
GS
= 4.5 V
10
30
8.5
N-Channel MOSFET
D
1
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
D
2
D
2
G
2
S
2
1
2
3
4
5
6
7
8
S1
G1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
6.15 mm
5.15 mm
Bottom View
PowerPAK
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
10
6.4
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
8.0
5.1
Pulsed Drain Current
I
DM
20
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
2.9
1.1
T
A
= 25 C
3.5
1.4
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
2.2
0.9
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
26
35
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
60
85
C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain)
Steady State
R
thJC
3.9
5.5
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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SI7844DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 10A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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