參數(shù)資料
型號(hào)： SI7872DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： SI7872DP
Si7872DP
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
6
Document Number: 72035
S-21978
—
Rev. A, 04-Nov-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET CHANNEL2
0
400
800
1200
1600
2000
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 10 thru 4 V
T
C
= 125 C
-55 C
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
3 V
-
r
D
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
0.000
0.008
0.016
0.024
0.032
0.040
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.5 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
C
oss
C
iss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7882DP N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Si7888DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7892DP Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Si7892DP-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI7913DN Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7872DP-T1 功能描述:MOSFET 30V 10A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7872DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 10A 0.022Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7872DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 10A 3.5W 22mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7880ADP-T1 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 31A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel
SI7880ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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