參數(shù)資料
型號： Si7892DP-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： SI7892DP-T1
Si7892DP
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71773
S-31727—Rev. B, 18-Aug-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
0.001
120
200
40
80
P
Single Pulse Power
Time (sec)
160
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 50 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1
10
0.1
0.01
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7913DN Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si7913DN-T1-E3 Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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SI7940DP Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7892DP-T1-E3 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
SI7894ADP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7894ADP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 25A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7894ADP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7894DP 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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