參數(shù)資料
型號(hào)： SI7922DN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual MOSFET, 100 V; very fast switching performance;
中文描述： 雙MOSFET，100伏;非?？焖匍_(kāi)關(guān)性能;
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 194K
代理商： SI7922DN
SPICE Device Model Si7922DN
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2
Document Number: 70322
31-May-04
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
2.6
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
29
A
V
GS
= 10 V, I
D
= 2.5 A
0.16
0.16
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 6 V, I
D
= 2.3 A
0.18
0.19
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 10 V, I
D
= 2.5 A
4.8
5.3
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
= 2.2 A, V
GS
= 0 V
0.73
0.8
V
Total Gate Charge
Q
g
4.8
5.2
Gate-Source Charge
Q
gs
1.1
1.1
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 50 V, V
GS
= 10 V, I
D
= 2.5 A
1.9
1.9
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
7
7
Rise Time
t
r
14
11
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
8
8
Fall Time
t
f
V
DD
= 50 V, R
L
= 50
I
D
1 A, V
GEN
= 4.5 V, R
G
= 6
13
11
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 2.2 A, di/dt = 100 A/
μ
s
32
40
Ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
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PDF描述
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