參數(shù)資料
型號(hào): SI7940DP
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述: 雙N溝道12 V的(副)MOSFET的
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
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代理商: SI7940DP
Si7940DP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71845
S-21167
Rev. B, 29-Jul-02
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
- 4
1
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.02
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI7940DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dual P-Ch 12V 17mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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SI7941DP-T1 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7941DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube