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參數(shù)資料
| 型號： | SIB412DK-T1-GE3 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 6.6 A, 20 V, 0.034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | HALOFEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, SC-75, POWERPAK-6 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | SIB412DK-T1-GE3 |
Vishay Siliconix
Package Information
Document Number: 73000
06-Aug-07
www.vishay.com
1
PowerPAK
SC75-6L
DIM
SINGLE PAD
DUAL PAD
MILLIMETERS
Nom
0.75
-
0.25
0.20
1.60
0.67
0.20
1.60
1.10
0.25
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-
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A
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b
C
D
D1
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E
E1
E2
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e
K
K1
K2
K3
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L
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ECN: C-07431
Rev. C, 06-Aug-07
DWG: 5935
BACK
S
IDE VIEW OF
S
INGLE
BACK
S
IDE VIEW OF DUAL
A
Note
s
:
1. All dimen
s
ion
s
a
re in millimeter
s
2. P
a
ck
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K1
K2
K
3
K1
K2
K2
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PIN5
PIN4
D1
D2
D1
D1
PIN6
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PIN1
PIN2
PIN
3
DETAIL Z
D
A1
Z
z
C
E
E
E
E
K
K
K
K
L
E
PIN2
PIN1
PIN
3
L
E
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIDC03D60F | 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SIDC04D60F | 9 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SIDC14D120E | 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SIHF640L-E3 | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| SIHF640STR-E3 | 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SIB413DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 9.0A 13W 75mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIB414DK-T1-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 8V 7.9A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R |
| SIB414DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 8.0V 9.0A 13W 26mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIB415DK | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIB415DK-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 9.0A 13W 87mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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