參數(shù)資料
型號： SIDC08D60C6
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology
中文描述： 快速開關二極管芯片快恢復3技術
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： SIDC08D60C6
SIDC08D60C6
Edited by INFINEON Technologies, AIM PMD D CID CLS, L4551M, Edition 1.1, 10.07.2006
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continuous forward current limited by
T
jmax
Maximum repetitive forward current
limited by T
jmax
Operating junction and storage
temperature
1 )
depending on thermal properties of assembly
V
RRM
600
V
I
F
1 )
I
FRM
60
A
T
j
,
T
stg
-40...+175
°
C
Static Electrical Characteristics
(tested on chip)
,
T
j=25
°
C, unless otherwise specified
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Reverse leakage current
I
R
V
R
=600V
T
j
=25
°
C
27
μA
Cathode-Anode
breakdown Voltage
V
Br
I
R
=0.25mA
T
j
=25°C
600
V
Forward voltage drop
V
F
I
F
=30A
T
j
=25
°
C
1.25
1.6
1.95
V
Dynamic Electrical Characteristics
(verified by design/characterization), inductive load
Value
2)
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Peak reverse recovery
current
I
RM
I
F
=30A
di/dt=2100A/
m
s
V
R
=300V
V
GE
= -15V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
44.0
49.0
50.0
A
Recovered charge
Q
r
I
F
=30A
di/dt=2100A/
m
s
V
R
=300V
V
GE
= -15V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
1.20
2.20
2.50
μC
Reverse recovery energy
E
rec
I
F
=30A
di/dt=2100A/
m
s
V
R
=300V
V
GE
= -15V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
0.32
0.55
0.65
mJ
2)
values also influenced by parasitic L- and C- in measurement and package.
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PDF描述
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