參數(shù)資料
型號： SIDC09D60E6
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast switching diode chip in EMCON-Technology
中文描述： 快速開關(guān)二極管芯片快恢復技術(shù)
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： SIDC09D60E6
SIDC09D60E6
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD CLS, L 4303M, Edition 2, 20.07.04
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continuous forward current limited by
T
jmax
Single pulse forward current
(depending on wire bond configuration)
V
RRM
600
V
I
F
20
I
FSM
t
P
= 10 ms sinusoidal
T
j
= 25°C
80
Maximum repetitive forward current
limited by T
jmax
Operating junction and storage
temperature
Static Electrical Characteristics
(tested on chip),
T
j=25
°
C, unless otherwise specified
I
FRM
60
A
T
j
,
T
stg
-55...+150
°
C
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
27
Unit
Reverse leakage current
I
R
V
R
=600V
T
j
=25
°
C
μA
Cathode-Anode
breakdown Voltage
Forward voltage drop
V
Br
I
R
=3mA
T
j
=25°C
600
V
V
F
I
F
=20A
T
j
=25
°
C
-
1.25
1.7
V
Dynamic Electrical Characteristics
,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified, tested at component
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
t
rr1
T
j
=25°C
150
Reverse recovery time
t
rr2
I
F
=20A
di/dt=700A/
m
s
V
R
=400V
T
j
=125°C
200
ns
I
RRM1
T
j
=25°C
20
Peak recovery current
I
RRM2
I
F
=20A
di/dt=900A/
m
s
V
R
= 300V
T
j
=125°C
25
A
Q
rr1
T
j
=25
°
C
1.7
Reverse recovery charge
Q
rr2
I
F
=20A
di/dt=900A/
m
s
V
R
= 300V
T
j
=125
°
C
2.7
μC
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