參數(shù)資料
型號： SIDC10D120H6
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast switching diode chip in EMCON-Technology
中文描述： 快速開關二極管芯片快恢復技術
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 93K
代理商： SIDC10D120H6
Preliminary
SIDC10D120H6
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 4412S, Edition 1, 8.01.2002
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continuous forward current limited by
T
jmax
Single pulse forward current
(depending on wire bond configuration)
Maximum repetitive forward current
limited by T
jmax
Operating junction and storage
temperature
Static Electrical Characteristics
(tested on chip),
T
j=25
°
C, unless otherwise specified
V
RRM
1200
V
I
F
15
I
FSM
t
P
= 10 ms sinusoidal
tbd
I
FRM
30
A
T
j
,
T
stg
-55...+150
°
C
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Reverse leakage current
I
R
V
R
=1200V
T
j
=25
°
C
27
μA
Cathode-Anode
breakdown Voltage
V
Br
I
R
=0.8mA
T
j
=25°C
1200
V
Forward voltage drop
V
F
I
F
=15A
T
j
=25
°
C
1.6
V
Dynamic Electrical Characteristics
,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified, tested at component
Value
Parameter
Symbol
Conditions
min.
Typ.
tbd
max.
Unit
t
rr1
I
F
=15A
T
j
=25°C
Reverse recovery time
t
rr2
di/dt=600A/
m
s
V
R
=600V
I
F
=15A
T
j
=125°C
ns
I
RRM1
T
j
=25°C
17
Peak recovery current
I
RRM2
di/dt=600A/
m
s
V
R
= 600V
T
j
=125°C
21
A
Q
rr1
T
j
=25
°
C
1.8
Reverse recovery charge
Q
rr2
I
F
=15A
di/dt=600A/
m
s
V
R
= 600V
T
j
=125
°
C
3.4
μC
di
rr1
/dt
di
rr2
/dt
T
j
=
25
°
C
T
j
=125
°
C
tbd
Peak rate of fall of reverse
recovery current
I
F
=15A
di/dt=600A/
m
s
V
R
= 600V
A/
μ
s
S1
T
j
=25
°
C
tbd
Softness
S2
I
F
=15A
di/dt=600A/
m
s
V
R
= 600V
T
j
=125
°
C
1
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