參數(shù)資料
型號: SIDC20D60C6
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology
中文描述: 快速開關(guān)二極管芯片快恢復(fù)3技術(shù)
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 68K
代理商: SIDC20D60C6
SIDC20D60C6
Edited by INFINEON Technologies, AIM PMD D CID CLS, L4571M, Edition 1.1, 10.07.2006
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continuous forward current limited by
T
jmax
Maximum repetitive forward current
limited by T
jmax
Operating junction and storage
temperature
1 )
depending on thermal properties of assembly
V
RRM
600
V
I
F
1 )
I
FRM
150
A
T
j
,
T
stg
-40...+175
°
C
Static Electrical Characteristics
(tested on chip)
,
T
j=25
°
C, unless otherwise specified
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Reverse leakage current
I
R
V
R
=600V
T
j
=25
°
C
27
μA
Cathode-Anode
breakdown Voltage
V
Br
I
R
=0.25mA
T
j
=25°C
600
V
Forward voltage drop
V
F
I
F
=75A
T
j
=25
°
C
1.2
1.6
1.9
V
Dynamic Electrical Characteristics
(verified by design/characterization), inductive load
Value
2)
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Peak reverse recovery
current
I
RM
I
F
=75A
di/dt=4000A/
m
s
V
R
=300V
V
GE
= -15V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
100
115
125
A
Recovered charge
Q
r
I
F
=75A
di/dt=4000A/
m
s
V
R
=300V
V
GE
= -15V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
3.00
6.00
7.50
μC
Reverse recovery energy
E
rec
I
F
=75A
di/dt=4000A/
m
s
V
R
=300V
V
GE
= -15V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 150 °C
0.95
1.50
1.85
mJ
2)
values also influenced by parasitic L- and C- in measurement and package.
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