參數(shù)資料
型號(hào)： SIDC56D170E6
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast switching diode chip in EMCON-Technology
中文描述： 快速開關(guān)二極管芯片快恢復(fù)技術(shù)
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： SIDC56D170E6
Preliminary
SIDC56D170E6
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L4251M, Edition 1, 28.02.02
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
Continuous forward current limited by
T
jmax
Single pulse forward current
(depending on wire bond configuration)
Maximum repetitive forward current
limited by T
jmax
Operating junction and storage
temperature
Static Electrical Characteristics
(tested on chip),
T
j=25
°
C, unless otherwise specified
V
RRM
1700
V
I
F
75
I
FSM
t
P
= 10 ms sinusoidal
tbd
I
FRM
150
A
T
j
,
T
stg
-55...+150
°
C
Value
Typ.
Parameter
Symbol
Conditions
min.
max.
Unit
Reverse leakage current
I
R
V
R
=1700V
T
j
=25
°
C
27
μA
Cathode-Anode
breakdown Voltage
V
Br
I
R
=5mA
T
j
=25°C
1700
V
Forward voltage drop
V
F
I
F
=75A
T
j
=25
°
C
2.15
V
Dynamic Electrical Characteristics
,
at
T
j
= 25
°
C, unless otherwise specified, tested at component
Value
Parameter
Symbol
Conditions
min.
Typ.
tbd
max.
Unit
t
rr1
I
F
=75A
T
j
= 25 °C
Reverse recovery time
t
rr2
di/dt=1100A/
m
s
V
R
=900V
I
F
=75A
T
j
= 150 °C
ns
I
RRM1
T
j
= 25 °C
55
Peak recovery current
I
RRM2
di/dt=1100A/
m
s
V
R
=900V
T
j
= 150 °C
85
A
Q
rr1
T
j
=25
°
C
9
Reverse recovery charge
Q
rr2
I
F
=75A
di/dt=1100A/
m
s
V
R
=900V
T
j
=150
°
C
19
μC
di
rr1
/dt
di
rr2
/dt
T
j
=
25
°
C
T
j
=150
°
C
tbd
Peak rate of fall of reverse
recovery current
I
F
=75A
di/dt=1100A/
m
s
V
R
=900V
A/
μ
s
S1
T
j
=25
°
C
tbd
Softness
S2
I
F
=75A
di/dt=1100A/
m
s
V
R
=900V
T
j
=150
°
C
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SIDC59D170H Fast Switching Diode Chip in EMCON3-Technology
SIGC07T60NC IGBT Chip in NPT-technology
SIGC186T170R3 IGBT3 Chip
SIGC25T120CS IGBT Chip in NPT-technology
SIGC25T120C IGBT Chip in NPT-technology
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SIDC56D170E6_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode chip in Emitter Controlled -Technology
SIDC56D60E6 功能描述:DIODE FAST SW 600V 150A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SIDC59D170H 功能描述:DIODE FAST SW 1700V 100A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SIDC59D170H_04 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology
SIDC73D170E6 功能描述:DIODE FAST SW 1700V 100A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*