參數(shù)資料
型號(hào)： SIH31-06
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類(lèi)： 參考電壓二極管
英文描述： 150 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 200K
代理商： SIH31-06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SF30SC3L-4100 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
SR130H02-5 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
SR160H09 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
SR350H33 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
SR350M23 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SiHB12N60E-GE3 功能描述:MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIHB12N60E-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 12A TO-263-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 12A, TO-263-3
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