參數(shù)資料
型號(hào)： SMA6F12AVCL-TR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： TVS DIODE, DO-221AC
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商： SMA6F12AVCL-TR
SMA6F
Characteristics
3/9
Figure 1.
Definition of Ipp pulse
Table 4.
Electrical characteristics - values (Tamb = 25 °C)
Type
IRM max@VRM
VBR @IR
(1)
VCL @IPP
10/1000 s
RD
(2)
10/1000 s
VCL @IPP
8/20 s
RD
8/20 s
αT(3)
25 °C 85 °C
min
typ
max
A (Max)
V
mA
V
A
Ω
VA
Ω
10-4/°C
SMA6F5.0A
10
50
5.0 6.40 6.74 7.07 10
9.2
68
0.029
13.4 298
0.021
5.7
SMA6F12AVCL
0.2
1
12
13.2 13.7 14.3
1
18.5
31
0.135
22.9 157
0.055
7.8
SMA6F13A
0.2
1
13
14.4 15.2 15.9
1
20.4
29
0.154
23.9 147
0.054
8.3
1.
Pulse test: tp <50ms.
2.
To calculate maximum clamping voltage at other surge currents, use the following formula
VCLmax = RD x IPP + VBRmax
3.
To calculate VBR versus junction temperature, use the following formula:
VBR @ Tj = VBR @ 25 °C x (1 + αT x (Tj - 25))
100
50
%IPP
tr
tp
0
t
Repetitive peak pulse current
tr = rise time (s)
tp = pulse duration time (s)
Figure 2.
Relative peak power dissipation
versus initial junction temperature
Figure 3.
Peak pulse power versus
exponential pulse duration
(Tj initial = 25 °C)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
25
50
75
100
125
150
175
200
P
PP[Tj initial] / PPP[Tj initial=25°C]
initial (°C)
Tj
P
(kW)
PP
0.1
1.0
10.0
100.0
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
T
j initial = 25 °C
t (ms)
p
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PDF描述
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