參數(shù)資料
型號(hào)： SMA6J5.0A-E3/61
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 88K
代理商： SMA6J5.0A-E3/61
New Product
SMA6J5.0A thru SMA6J28A
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 89115
Revision: 30-Oct-08
2
Notes:
(1) Pulse test: tp ≤ 50 ms
(2) To calculate maximum clamping voltage at other surge currents, use the following formula
VCLmax. = RD x IPP + VBRmax.
(3) To calculate VBR vs. junction temperature, use the following formula
VBR at TJ = VBR at 25 °C x (1 + αT x (TJ - 25))
(4) VF = 3.5 V at IF = 25 A, pulse test: 300 s pulse width
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
VWM
Stand-off voltage
VBR
Breakdown voltage
VC
Clamping voltage
ID
Leakage current at VWM
IPP
Peak pulse current
αT
Voltage temperature coefficient
VF
Forward voltage drop
RD
Dynamic resistance
V
BR
V
C
V
WM
I
PP
I
D
I
T
V
F
I
F
V
I
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
DEVICE
MARKING
CODE
BREAKDOWN
VOLTAGE
VBR AT IT
(1)
MAXIMUM
REVERSE LEAKAGE
ID AT VWM
VC AT IPP
RD
(2)
VC AT IPP
RD
(2)
αT (3)
10/1000 s
8/20 s
MIN.
MAX.
25 °C
85 °C
MAX.
V
mA
A
V
A
Ω
V
A
Ω
10-4/°C
SMA6J5.0A
6AE
6.40
7.07
10
150
375
5.0
9.1
65.9
0.031
13.4
298
0.021
5.7
SMA6J6.0A
6AG
6.70
7.41
10
600
1500
6.0
9.5
63.2
0.033
13.7
290
0.022
5.9
SMA6J6.5A
6AK
7.20
7.96
10
100
250
6.5
10.2
58.8
0.038
14.5
276
0.024
6.1
SMA6J7.5A
6AP
8.33
9.21
1
50
125
7.5
11.8
50.8
0.051
17.0
235
0.033
6.5
SMA6J8.0A
6AR
8.89
9.83
1
20
50
8.0
12.5
48.0
0.056
18.2
220
0.038
7.0
SMA6J8.5A
6AT
9.4
10.4
1
20
50
8.5
13.3
45.1
0.064
18.7
205
0.040
7.3
SMA6J10A
6AX
11.1
12.3
1
0.2
1
10
15.7
38.2
0.089
19.6
184
0.040
7.8
SMA6J11A
6AZ
12.2
13.5
1
0.2
1
11
17.2
34.8
0.107
21.5
172
0.047
8.1
SMA6J12A
6BE
13.3
14.7
1
0.2
1
12
18.8
31.9
0.128
23.5
157
0.056
8.3
SMA6J13A
6BG
14.4
15.9
1
0.2
1
13
20.4
29.4
0.153
23.9
147
0.054
8.4
SMA6J15A
6BM
16.7
18.5
1
0.2
1
15
23.6
25.4
0.201
27.7
123
0.075
8.8
SMA6J16A
6BP
17.8
19.7
1
0.2
1
16
25.2
23.8
0.229
29.5
119
0.083
8.8
SMA6J17A
6BR
18.9
20.9
1
0.2
1
17
26.7
22.5
0.259
31.4
111
0.094
9.0
SMA6J18A
6BT
20.0
22.1
1
0.2
1
18
28.3
21.2
0.292
33.2
102
0.109
9.2
SMA6J20A
6BV
22.2
24.5
1
0.2
1
20
31.4
19.1
0.361
36.8
93
0.132
9.4
SMA6J22A
6BX
24.4
26.9
1
0.2
1
22
34.5
17.4
0.437
40.4
89
0.152
9.5
SMA6J24A
6BZ
26.7
29.5
1
0.2
1
24
37.8
15.9
0.523
44.3
80
0.185
9.6
SMA6J26A
6CE
28.9
31.9
1
0.2
1
26
40.9
14.7
0.614
47.9
75
0.213
9.7
SMA6J28A
6CG
31.1
34.4
1
0.2
1
28
44.0
13.6
0.704
51.6
68
0.253
9.8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMA6J11A-E3/61 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SMA6J7.5A-E3/61 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
SMAB13 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SMAB16 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SMAJ10-M3/61 UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC
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參數(shù)描述
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SMA6J6.0A-E3/61 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 6.0V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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