- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄40250 > SMB10J33A-HE3/5B (VISHAY SEMICONDUCTORS) 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SMB10J33A-HE3/5B |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SMB10J33A-HE3/5B |
SMB10(8)J5.0(C) thru SMB10(8)J40(C)A
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88422
Revision: 22-Oct-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
5
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance
1.0
10
100
0.01
0.1
10
1
100
1000
tp - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current
10
200
100
1
10
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Uni-Directional Only
Mounting Pad Layout
0.085 (2.159)
MAX.
0.086 (2.18)
MIN.
0.060 (1.52)
MIN.
0.220 REF.
DO-214AA (SMB)
Cathode Band
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMB10J36A-HE3/5B | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMB8J11CA-HE3/5B | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMB8J12CA-HE3/5B | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMB8J13CA-HE3/5B | 800 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMB10J7.5A-HE3/5B | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMB10J33-E3/2C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1000W 33V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMB10J33-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1000W 33V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMB10J33-E3/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1000W 33V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMB10J33-E3/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1000W 33V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMB10J33-E3/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1000W 33V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。