參數(shù)資料
型號(hào): SMBG100
廠商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT
中文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 139K
代理商: SMBG100
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PDF描述
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SMBG65 PV SERIES
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參數(shù)描述
SMBG100/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG100/5 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG100/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG100/55 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG100/5B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 100V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C