型號: | SMBG26CA |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 182K |
代理商: | SMBG26CA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SMLJ110C | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMLJ120CA | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SMLG33C | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SMLG10C | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
SM08LC24 | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SMBG26CA/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG26CA/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG26CA/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG26CA/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG26CA-E3/51 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 26V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |