參數(shù)資料
型號： SMBG30
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
文件頁數(shù)： 1/5頁
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代理商： SMBG30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBJ20CA BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ48 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SHD1252N 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA
SHD1262P 16 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257
SMS1528-50 SILICON, UHF-C BAND, MIXER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SMBG30/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG30/5 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG30/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG30/55 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG30/5B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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