參數(shù)資料
型號(hào): SMBG36A
廠商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類: TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述: 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封裝: SMBG, 2 PIN
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大小: 1565K
代理商: SMBG36A
www.mccsemi.com
MCC
Peak Pulse Power (PPP) – Kilowatts versus
Pulse Width (TW) - Microseconds
Figure 4
Peak Pulse Power versus Pulse Width
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTIC
CURVE SMBG SERIES
Revision: 3
2003/04/30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBG11AP 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG6.5P 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG160AP 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG10 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG7.5 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SMBG36A/1 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 36V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG36A/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG36A/2B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 36V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG36A/5 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 36V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG36A/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 36V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C