型號: | SMBG43 |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
中文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 139K |
代理商: | SMBG43 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBG110 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBG110A | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBG60 | CANMS3470L14-15PL/C |
SMBG60A | CANMS3470L14-15SL/C |
SMBG80 | PV SERIES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SMBG43A | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBG43A/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG43A/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG43A/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG43A/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 43V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |