型號(hào): | SMBG51A |
廠商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
中文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-2 |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大小: | 139K |
代理商: | SMBG51A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SMBJ65 | UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
SMBG85A | High Speed CMOS Logic Non-Inverting Hex Buffer/Line Driver with 3-State Outputs 16-CDIP -55 to 125 |
SMBG75 | High Speed CMOS Logic Non-Inverting Hex Buffer/Line Driver with 3-State Outputs 16-CDIP -55 to 125 |
SMBG75A | High Speed CMOS Logic Octal Transparent Latches with 3-State Output 20-CDIP -55 to 125 |
SMBG78 | High Speed CMOS Logic Octal D-Type Flip-Flops with Data Enable 20-CDIP -55 to 125 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SMBG51A/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 51V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG51A/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 51V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG51A/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 51V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG51A/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 51V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBG51A/5B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 51V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |