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參數(shù)資料
| 型號： | SMBG6.0P |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| 封裝： | SMBG, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 1565K |
| 代理商： | SMBG6.0P |
Typical Capacitance ( pF) - picofarads versus
Breakdown Voltage (V BR) - Volts
Figure 3
Typical Capacitance versus Breakdown Voltage
Volts
Figure 1
Derating Curve
Milliseconds
0
1
2
3
4
5
6
0
25
50
75
100
0
Lead Temperature
°C
0
100
150
50
200
100
1.0
10
100
1000
10
100
1000
10000
www.mccsemi.com
MCC
Pulse Current (IP) In Percentage Of IPP – Amperes versus
Time (t) - Milliseconds
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTIC
CURVE SMBG SERIES
Figure 2
Pulse Waveform For Exponential Surge
Revision: 3
2003/04/30
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBG48P | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG70P | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG43AP | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG130P | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG11P | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBG64 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT |
| SMBG64A | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:SURFACE MOUNT TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
| SMBG64A/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 64V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG64A/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 64V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBG64A/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 64V 5% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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