參數(shù)資料
型號： SMBG8.5AP
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封裝： SMBG, 2 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 1565K
代理商： SMBG8.5AP
www.mccsemi.com
MCC
Peak Pulse Power (PPP) – Kilowatts versus
Pulse Width (TW) - Microseconds
Figure 4
Peak Pulse Power versus Pulse Width
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTIC
CURVE SMBG SERIES
Revision: 3
2003/04/30
相關PDF資料
PDF描述
SMBG51AP 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG58AP 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG7.0AP 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG6.0P 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG48P 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SMBG85CA/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG85CA/52 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG85CA/55 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG85CA/5B 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBG85CA-E3/51 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 85V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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