參數(shù)資料
型號(hào)： SMBJ120A-HE3/5B
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： SMBJ120A-HE3/5B
Vishay General Semiconductor
SMBJ5.0 thru SMBJ188CA
Document Number 88392
08-Sep-06
www.vishay.com
5
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Figure 5. Typical Transient Thermal Impedance
0.1
1.0
10
100
0.001
0.01
0.1
100
1.0
10
1000
tp - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
10
200
100
10
1
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Unidirectional Only
Number of Cycles at 60 Hz
P
eak
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
0.160 (4.06)
0.180 (4.57)
0.006 (0.152)
0.012 (0.305)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.205 (5.21)
0.220 (5.59)
0 (0)
0.008 (0.2)
0.130 (3.30)
0.155 (3.94)
0.084 (2.13)
0.096 (2.44)
0.077 (1.95)
0.086 (2.20)
Cathode Band
DO-214AA (SMB-J-Bend)
0.085 MAX.
(2.159 MAX.)
0.220 REF
0.086 MIN.
(2.18 MIN.)
0.060 MIN.
(1.52 MIN.)
Mounting Pad Layout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBJ18-HE3/52 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ60A-HE3/5B 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ64-HE3/52 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ100C-HE3/52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBJ12C-HE3/5B 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SMBJ120A-M3/5B 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:600W,120V 5%,UNIDIR,SMB TVS
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SMBJ120C 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 120Vr 600W 3.1A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ120CA 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 120volts 5uA 3.1 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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