型號(hào): | SMBJ12CAT3 |
元件分類(lèi): | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 41K |
代理商: | SMBJ12CAT3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ14CT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ51CT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ51T1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ60AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ70CT1 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ12CA-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 12V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ12CATR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TVS DIODE, 600W, 12V, DO-214AA; TVS Polarity:Bidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:12V; Breakdown Voltage Max:14V; Clamping Voltage Vc Max:19.9V; Peak Pulse Current Ippm:31A; Diode Case Style:DO-214AA; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
SMBJ12CA-TR | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ12CE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 12V 600W 2PIN DO-214AA - Bulk |
SMBJ12C-E3/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 12V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |