型號(hào): | SMBJ51AP |
廠商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分類: | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
英文描述: | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
封裝: | SMBJ, 2 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 7/8頁(yè) |
文件大?。?/td> | 0K |
代理商: | SMBJ51AP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SMBJ51P | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ6.5P | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ60AP | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ60CAP | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMBJ60P | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SMBJ51A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 51V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ51ATR | 功能描述:TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMB 制造商:smc diode solutions 系列:SMBJ 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):51V 電壓 - 擊穿(最小值):56.7V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:82.4V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):7.3A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應(yīng)商器件封裝:SMB(DO-214AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
SMBJ51C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 51Vr 600W 7.3A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ51CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W TVS Diode Bidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
SMBJ51CA R4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 51V 600W 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |