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參數(shù)資料
| 型號： | SMBJ5337B |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | surface mount silicon Zener diodes |
| 中文描述： | 4.7 V, 1.38 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA |
| 封裝： | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 242K |
| 代理商： | SMBJ5337B |
Note 1
Devices listed have a
±
5% tolerance on nominal V
Z.
The suffix A denotes a
±
20% tolerance, suffix C
denotes
±
2%, and suffix D denotes
±
1%.
Note 2
Nominal Zener Voltage (V
Z
) is read with the device in
standard test clips with 3/8 to inch spacing between
clip and case of the diode. Before reading, the diode is
allowed so stabilize for a period of 40
±
10 milliseconds
at 25
°
C (+8, -2
°
C).
Note 3
The Zener impedance (Z
or Z
is derived from the 60
H
Z
ac voltage, which results when an ac current having
a rms value equal to 10% of the dc zener current (I
ZT
or
I
) is superimposed on I
or I
respectively. Dynamic
impedance variations with other current values are
described in Micronote 202.
Note 4
The Maximum Reverse (leakage) Current is specified
for devices with
±
20% and
±
10% voltage tolerances
on nominal V
Z
in another column.
Note 5
The Maximum Zener Current (I
ZM
) shown is for
±
5%
tolerance devices. I
ZM
for
±
10% and
±
20% devices
can be calculated using the formula:
I
ZM
= P
V
ZM
Where “V
ZM
” is V
Z
at the high end of the voltage
tolerance specified and “P” is the rated power of the
device.
Note 6
The Surge Current (I
ZM
) is specified as the maximum
peak of a nonrecurring sine wave of 8.3 milliseconds
duration.
Note 7
Voltage Regulation (
V
Z
) is the difference between the
voltage measured at 10% and 50% I
ZM
).
SMB(G or J)5333B thru SMB(G or J)5333B
1
5344B
5350B
5335B
5338B
5342B
5357B
5365B
5378B
5388B
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ5338B | surface mount silicon Zener diodes |
| SMBJ5339B | surface mount silicon Zener diodes |
| SMBJ5340B | surface mount silicon Zener diodes |
| SMBJ5341B | surface mount silicon Zener diodes |
| SMBJ5342B | surface mount silicon Zener diodes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBJ5337B/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5% DO-214AA T/R RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納（標稱）(Vz):36V 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| SMBJ5337BE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5% DO-214AA T/R RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納（標稱）(Vz):36V 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| SMBJ5337C/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 4.7V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5W 4.7V 2% SMBJ |
| SMBJ5337CE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 4.7V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5W 4.7V 2% SMBJ |
| SMBJ5338A/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 5.1V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5W 5.1V 10% SMBJ |
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