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參數(shù)資料
| 型號： | SMBJ60AT3 |
| 廠商： | CRYDOM CORP |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 180K |
| 代理商： | SMBJ60AT3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ12AT3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ150AT1 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ17T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ33CT3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMBJ40T3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBj60A-TP | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 60V 600 Watts RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ60C | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 60Vr 600W 6.2A 10% BiDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ60C/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ60C/52 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ60C/55 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 60V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
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